[发明专利]多芯片滤波器硅基扇出封装结构以及方法在审

专利信息
申请号: 202210703103.9 申请日: 2022-06-21
公开(公告)号: CN115064532A 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 叶振荣;钱立伟;戴飞虎;张鹏;王成迁 申请(专利权)人: 无锡中微高科电子有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/485;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/04
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 涂三民;殷红梅
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种多芯片滤波器硅基扇出封装结构以及方法,在硅基板的正面刻蚀出台阶形的第一凹腔与平底的第二凹腔,在滤波器芯片的正面、侧面与第一凹腔的上层台阶侧壁之间的间隙、在其他功能芯片的正面、侧面与第二凹腔的侧壁之间的间隙设有间隙介质层,使得在滤波器芯片下方形成震荡腔,在硅基板的背面制作有通孔,在硅基板的背面、通孔的孔壁、硅基板的正面及间隙介质层上设有钝化层,在通孔内以及部分钝化层上设有第一再布线层,钝化层的背面覆盖绝缘层,在第一再布线层的背面连接第二再布线层,在第二再布线层的背面连接互联凸点。本发明降低了工艺的复杂度,震荡腔密闭性好,实现了滤波器芯片与其他功能芯片的集成,缩小了体积。
搜索关键词: 芯片 滤波器 硅基扇出 封装 结构 以及 方法
【主权项】:
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