[发明专利]气体传输装置、方法和半导体沉积设备在审
申请号: | 202210707996.4 | 申请日: | 2022-06-22 |
公开(公告)号: | CN114774887A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 张亚梅;柴智;陈新益 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/50;H01J37/32 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 赵兴 |
地址: | 100176 北京市北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体设备技术领域,提供了一种气体传输装置、方法和半导体沉积设备。气体传输装置包括:进气传输单元和喷淋头,进气传输单元包括第一进气管道、第二进气管道、连通管道和截止阀,第一进气管道与第二进气管道之间设置连通管道,连通管道上设置截止阀;喷淋头分为第一喷淋分区和第二喷淋分区,第一喷淋分区与第一进气管道连接,第二喷淋分区与第二进气管道连接,第一喷淋分区和第二喷淋分区之间彼此独立不互通。通过设置独立进气管道和喷淋分区,控制进入各管道的气体,解决了反应腔室内气体分布不均的技术问题,达到了提高薄膜均匀性和清除效率的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 气体 传输 装置 方法 半导体 沉积 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓荆科技(北京)有限公司,未经拓荆科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210707996.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的