[发明专利]一种平面型功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210711362.6 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115148818A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 黄汇钦;吴龙江 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面型功率器件及其制备方法，平面型功率器件包括：半导体衬底、N型阱区、P型阱区、栅极氧化层、栅极金属层、源极区、隔离区、漏极区以及反型层。N型阱区和P型阱区均位于半导体衬底上；栅极氧化层位于N型阱区和P型阱区上；栅极金属层位于栅极氧化层上；源极区与栅极氧化层接触；隔离区设于漏极区与栅极氧化层之间，反型层设于N型阱区与漏极区之间；且反型层的掺杂类型与漏极区的掺杂类型不同。本申请通过在漏极区和N型阱区之间设置反型层，如此操作可以在不增大平面型功率器件的基础上提升平面型功率器件的耐压能力，解决了现有的平面型功率器件存在体积较大，耐压性能差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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