[发明专利]一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法有效
| 申请号： | 202210714093.9 | 申请日： | 2022-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN114808141B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘增伟;周光权;曾柏翔;李瑞评 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/20;C04B41/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362411 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶圆制造领域，特别是涉及一种衬底改性处理方法。本发明提供一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法，通过在衬底表面涂覆反应溶液，生成多晶层铝酸钙的同时又利于相邻衬底间的分离。含有钠离子的第二反应物经过化学反应后生成氧化钠，具有较多优点：氧化钠能够与衬底中的氧化铝反应生成偏铝酸钠，偏铝酸钠溶于水后实现相邻衬底间的分离；偏铝酸钠进一步分解为氧化钠及氧化铝中间产物，该产物能够与氧化钙以较高的反应速率生成铝酸钙，加速多晶层的生成；氧化钠在与衬底中的氧化铝发生反应时，会在衬底表面形成微凹坑，加速反应并释放应力；此外，衬底表面残余的氧化钠还能进一步溶于水，从而促进相邻衬底之间的分离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 改性 处理 方法 半导体 发光 器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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