[发明专利]一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法在审
| 申请号： | 202210715862.7 | 申请日： | 2022-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN114778577A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 王蓉;高万冬;皮孝东;钱怡潇;李佳君;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅检测技术领域，特别涉及一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，包括：利用X射线衍射仪对碳化硅样品进行逐点的X射线摇摆曲线面扫描，摇摆曲线面的X射线的晶面入射角范围至少覆盖对应的碳化硅缺陷检测角度和碳化硅多型检测角度；获取碳化硅样品每一个检测点的X射线的摇摆曲线，基于摇摆曲线的特征来检测碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布；根据碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布分析不同晶型对缺陷的影响。利用所述方法可以准确直观的反映出不同的缺陷类型，以及缺陷、不同晶型在晶体中的分布，从而为晶体缺陷质量的改善提供更重要的反馈。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射线 衍射 检测 碳化硅 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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