[发明专利]一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层改质方法及设备在审
| 申请号： | 202210727737.8 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115083896A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 牛进毅;苗岱 | 申请（专利权）人： | 山西云矽电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 四川和创智慧专利代理有限公司 51350 | 代理人： | 李永生 |
| 地址： | 030032 山西省太原*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶圆加工技术领域，特别是一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层改质方法及设备，包括如下步骤S1、将研磨抛光后的直径小于等于250mm，厚度100mm的SiC晶圆锭通过多孔陶瓷吸盘，固定到大理石平台上，平台的平整度达到0级；S2、激光改质；S3、激光器向上移动一个晶圆片的厚度。以770μm厚度的晶圆片为例，激光器向上移动850μm。使聚焦平面深度改为(N‑1)×850μm，然后激光束扫描整个焦平面重复2步骤，完成第2层SiC晶圆锭改质；S4、重复3步骤，直到完成N层SiC晶圆锭改质；通过调整改质激光器的技术指标，节省了每层剥离后对晶圆锭上表面进行研磨抛光的时间(研磨抛光时间10m)，以10层为例，减少了9次研磨抛光时间，节省了90m。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶圆锭 切割 晶圆片 多层 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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