[发明专利]一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺在审
| 申请号： | 202210732221.2 | 申请日： | 2022-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN115110151A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 郭全斌 | 申请（专利权）人： | 浙江康鹏半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B28/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙) 11738 | 代理人： | 陈璟峰 |
| 地址： | 321100 浙江省金*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，包括以下步骤：第一步，制备高纯度砷化镓多晶；第二步，半绝缘砷化镓单晶的生长：将第一步制备的高纯砷化镓多晶，按照一定的配料工艺装入热解氮化硼坩埚中，再采用垂直梯度凝固法，由计算机精确控制热场进行缓慢降温，生长界面由熔体下端逐渐向上移动，完成晶体生长，获得半绝缘砷化镓单晶棒；第三步，砷化镓晶片的制备。本发明通过电解与加热线圈精炼获得高纯度砷化镓，同时再采用粗As |
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| 搜索关键词： | 一种 射频 芯片 用砷化镓大 尺寸 衬底 材料 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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