[发明专利]一种晶硅太阳能电池及其氧化退火方法有效
| 申请号： | 202210738700.5 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN115084317B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 任永伟;赵颖;齐利娜;任勇;石兆春;何悦 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B29/06;C30B33/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 陈小龙 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶硅太阳能电池及其氧化退火方法，所述氧化退火方法包括依次进行的进舟、抽真空、恒温、低压氧化、回压、常压氧化、吹扫和出舟；其中，所述低压氧化的压力为100‑500mbar；所述常压氧化的压力为0.8‑1.2bar。本发明提供的氧化退火方法在解决了电池片制造过程中出现外观白点问题的同时，有效提高了氧化层的厚度和致密性，从而改善了钝化效果和抗PID能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 氧化 退火 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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