[发明专利]闪存器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210740668.4 申请日: 2022-06-27
公开(公告)号: CN115117066A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 吴志涛;李志国;徐杰 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01L27/11517 分类号: H01L27/11517;H01L27/11521
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 刘昌荣
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种闪存器件及其制造方法,提供衬底,衬底上形成有第一、二存储单元结构,第一、二存储单元结构控制栅多晶硅层、硬掩膜层的侧壁上,形成有第一、二层间介质层,两相近一侧的第二层间介质层、浮栅多晶硅层上均形成有隧穿氧化层,隧穿氧化层上形成有字线多晶硅;研磨字线多晶硅至控制栅多晶硅的上方;刻蚀去除第一、二存储单元结构的两侧部分结构;刻蚀去除剩余的硬掩膜层,使得其下方的字线多晶硅、控制栅多晶硅层裸露;在裸露的字线多晶硅、控制栅多晶硅上均形成金属硅化物。本发明通过研磨将存储单元结构高度做低,通刻蚀去除控制栅上残留的氧化物,经过金属硅化物工艺形成低电阻的Si‑Ni‑Pt合金,从而降低闪存器件读取时的电容电阻延迟。
搜索关键词: 闪存 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
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