[发明专利]半导体工艺腔室在审
| 申请号： | 202210741950.4 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115125504A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王冲;田西强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;H01J37/34;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、基座、升降轴以及沿高度方向相对设置的第一磁性组件和第二磁性组件，基座、第一磁性组件和第二磁性组件设置在腔体中，腔体的底壁上形成有避让通孔，升降轴的顶端固定连接在基座的底部，升降轴的底端通过避让通孔穿出至腔体外部，第一磁性组件固定设置在基座的底部，第二磁性组件固定设置在腔体的底壁上，第二磁性组件用于选择性地与第一磁性组件相互作用以产生排斥磁力或吸引磁力，从而在磁力作用下带动基座上升或下降。本发明可以利用磁体之间的磁力作用带动基座上升和下降，且第一磁性组件和第二磁性组件均设置在腔体内部，无需占用狭小的机台下部空间，降低了安装维护难度，提高了机台维护效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
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