[发明专利]可变电阻存储器件在审
| 申请号： | 202210745021.0 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115942862A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 金炫哲;金容锡;禹东秀;李炅奂 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以提供一种可变电阻存储器件，包括：堆叠，包括交替地堆叠在衬底上的绝缘片和导电片，堆叠包括竖直穿透其中的竖直孔；位线，在堆叠上；导电图案，电连接到位线并且在竖直孔中竖直延伸；以及电阻变化层，在导电图案和限定竖直孔的堆叠的内侧表面之间。电阻变化层可以包括电连接到导电片的第一碳纳米管和电连接到导电图案的第二碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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