[发明专利]一种正面超级结背面IGBT的工艺方法在审
| 申请号： | 202210746098.X | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115172438A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;邢军军;陈冲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种正面超级结背面IGBT的工艺方法，在基底正面依次形成第一、第二外延层；形成穿透第一、第二外延层至基底中的多个深沟槽；在深沟槽中填充P型外延材料，形成P柱；第二外延层表面形成有N型埋层；在N型埋层及P柱上表面形成第三外延层；在第三外延层中的每个P柱上方两侧形成沟槽；在每个沟槽之间形成体区；形成ILD层覆盖沟槽、体区及第三外延层；在第三外延层上形成金属钝化层；对基底进行背面减薄，并减薄至去除P柱厚度为1至5微米；在基底背面形成一层场截止注入层；在基底背面的P柱端形成硼注入层；在基底背面形成一层金属电极。本发明通过减薄去除P柱底部倒角区域来稳定击穿电压，并减薄芯片厚度来降低导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正面 超级 背面 igbt 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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