[发明专利]多晶硅场板及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210747974.0 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115064587A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 曲凯;史仁先;鲁艳春 | 申请（专利权）人： | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种多晶硅场板及其制备方法和应用。多晶硅场板包括衬底，在衬底上设有连接区和P+环区；P+环区包括多个隔离岛，每一隔离岛呈框型并结合在衬底表面上，多个隔离岛间隔分布，并依次围合连接区；相邻两隔离岛之间形成框型P+沟道，在P+沟道内填充有复合多晶硅层；复合多晶硅层包括掺杂多晶硅层和与掺杂多晶硅层层叠结合的无掺杂多晶硅层，且掺杂多晶硅层结合在P+沟道的底部，在无掺杂多晶硅层的背离掺杂多晶硅层的表面还含有导电改性层。多晶硅场板电场效应所含的复合多晶硅层导电性能高，具有良好的导通性。含有本申请多晶硅场板的半导体功率器件的可靠性等性能得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅场板 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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