[发明专利]一种识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法在审
| 申请号： | 202210759798.2 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115061029A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 杨剑群;李兴冀;万鹏飞;吕钢;董尚利 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 鲍丽伟 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaN/GaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 识别 algan gan hemts 活性 辐射 缺陷 分布 区域 方法 | ||
【主权项】：
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