[发明专利]一种高迁移率p型SrHfS3有效

专利信息
申请号: 202210773468.9 申请日: 2022-07-01
公开(公告)号: CN115074667B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 韩炎兵;史志锋;张跃文;梁雨润;徐洁;毛子慧 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 深圳众邦专利代理有限公司 44545 代理人: 李茂松
地址: 450001 河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及薄膜材料制备技术领域,为了解决现有的制备SrHfS3薄膜的方法存在制备所得的SrHfS3薄膜结晶性和稳定性不佳的问题,公开了一种高迁移率p型SrHfS3薄膜及其制备方法,所述一种高迁移率p型SrHfS3薄膜的制备方法,包括以下步骤:基于SrHfO3靶材通过磁控溅射沉积获得前驱体薄膜;对前驱体薄膜进行硫化处理得到SrHfS3薄膜。本发明成本低,操作简单;所获得SrHfS3薄膜具有良好结晶性、稳定性。SrHfS3特殊的畸变钙钛矿结构赋予了该材料较高的迁移率、良好的光吸收特性,此外考虑到该材料为环境友好的无铅钙钛矿材料,更有希望应用于新型光电器件。
搜索关键词: 一种 迁移率 srhfs base sub
【主权项】:
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