[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210777377.2 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115700910A | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 姜旼声;文泂烈;秦浚禑;金甫贤;赵星东;赵原熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯;李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底。导电层设置在衬底上并且沿第一方向延伸。绝缘层设置在导电层上并且通过通路孔暴露导电层的至少一部分。通路孔包括相对于导电层的顶面以第一坡度延伸的第一面。第二面相对于导电层的顶面以小于第一坡度的第二坡度延伸。再分布导电层包括设置在通路孔中的第一焊盘区域。线路区域至少部分地沿着第一面和第二面延伸。第一面直接接触导电层。第二面在垂直于衬底的顶面的第三方向上位于比第一面高的高度处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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