[发明专利]以四氟化锗为原料制备高纯锗单晶中间体二氧化锗的方法有效
| 申请号： | 202210780765.6 | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN114853055B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 周红艳;王晶;高林华;陈俭月;王珂 | 申请（专利权）人： | 核工业理化工程研究院 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 天津市宗欣专利商标代理有限公司 12103 | 代理人： | 马倩 |
| 地址： | 300180 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种以四氟化锗为原料制备高纯锗单晶中间体二氧化锗的方法，包括以下步骤：（ⅰ）四氟化锗水解；（ⅱ）酸化除氟；（ⅲ）氯化蒸馏；（ⅳ）四氯化锗水解反应。本发明弥补了目前国内以四氟化锗为原料制备高纯二氧化锗的研究空白，以满足国防、同位素探测等特殊领域的需要。本发明中以四氟化锗为原料制备高纯二氧化锗的工艺方法可以使二氧化锗产品的收率达到70%以上，产品质量完全达到国家标准。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 原料 制备 高纯 锗单晶 中间体 氧化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业理化工程研究院，未经核工业理化工程研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210780765.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：背光模组以及显示装置
- 下一篇：一种基于无线通信网络的云监控方法
