[发明专利]一种碳封装氮化钼表面修饰少层硒化钼纳米片储钠材料及其形成方法和应用有效
| 申请号： | 202210781384.X | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115108536B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 曾凡焱;刘宝泉;卢涛;程果 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;C01B32/15;C01B19/04;H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人： | 黄晶 |
| 地址： | 330063 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种碳封装氮化钼表面修饰少层硒化钼纳米片储钠材料及其形成方法和应用，所述方法包括如下步骤：将钼‑聚苯胺框架作为前驱体，经高温热处理，转化为碳纳米棒束原位析出二氧化钼纳米颗粒的储钠材料；通过水热硒化，在二氧化钼纳米颗粒表面生长出少层硒化钼纳米片；经氨/氮混合气处理，将剩余二氧化钼转化成富氮氮化钼，得到碳封装氮化钼表面修饰少层硒化钼纳米片储钠材料。本发明制得的储钠材料可有效提高氮化钼纳米颗粒的结构和循环稳定性，引入丰富的异质界面和电化学活性位点，提高反应动力学和氮化钼纳米颗粒的实际容量，具有突出的倍率性能和超长的循环稳定性，有效解决了氮化钼比容量低和多层硒化钼循环稳定性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 氮化 表面 修饰 少层硒化钼 纳米 片储钠 材料 及其 形成 方法 应用 | ||
【主权项】：
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