[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210786850.3 | 申请日： | 2022-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN115911086A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 许晁玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请的实施例提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本公开的方法包括在衬底上方沉积顶部外延层，由顶部外延层和衬底的部分形成鳍结构，凹进鳍结构的源极/漏极区以形成源极/漏极凹槽，在源极/漏极凹槽的表面上方共形沉积半导体层，回蚀刻半导体层以在源极/漏极凹槽的底面上方形成扩散停止层，在扩散停止层和源极/漏极凹槽的侧壁上方沉积第一外延层，在第一外延层上沉积第二外延层，以及在第二外延层上沉积第三外延层。扩散停止层的锗浓度大于顶部外延层的锗浓度或第一外延层的锗浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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