[发明专利]高精度带隙基准的自举结构及芯片在审
| 申请号： | 202210787455.7 | 申请日： | 2022-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN115167607A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李文杰 | 申请（专利权）人： | 中银金融科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 任少瑞 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种高精度带隙基准的自举结构及芯片，该自举结构包括：自举电压负反馈回路，与输入电源和带隙基准电路分别连接，用于产生低于电源电压的中间电压和增强原边反馈；带隙基准电路，与所述自举电压负反馈回路和电压测试电路分别连接，用于产生带隙基准电压；电压测试电路，与所述带隙基准电路和驱动电路分别连接，用于通过测试电阻网络来得到低温漂的带隙基准电压；驱动电路，与所述电压测试电路和数字逻辑电路分别连接，用于提供强电流驱动；数字逻辑电路，与所述驱动电路连接，用于控制输出的连接方式。本申请给MOS管提供了安全工作电压，增强了原边反馈，且优化了驱动模块以减小带隙基准电压测试充电时间。 | ||
| 搜索关键词： | 高精度 基准 结构 芯片 | ||
【主权项】：
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