[发明专利]半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 202210797966.7 | 申请日： | 2022-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN115064517A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 钟艾东 | 申请（专利权）人： | 东莞市中器集成电路有限公司;东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制备方法，半导体装置包括：半导体器件结构；钝化层；第一平坦化层，覆盖于钝化层上，第一平坦化层和钝化层在半导体器件结构的电极上方具有镂空窗口；金属互联层，位于第一平坦化层的上表面，并通过镂空窗口与半导体器件结构的电极相连；导热体，位于金属互联层之上并与金属互联层接触，导热体包括主柱体及连接体；第二平坦化层，导热体穿透第二平坦化层而显露于第二平坦化层之上。本发明不需要在厚度较大的氮化镓衬底中刻蚀通孔，可以有效将热导率较低的氮化镓材料制成的器件所产生的热量导出，在有效降低工艺时间成本和提高器件良率的情况下，有效降低器件的结温，使器件可在大功率下进行工作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市中器集成电路有限公司;东莞市中镓半导体科技有限公司，未经东莞市中器集成电路有限公司;东莞市中镓半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210797966.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
