[发明专利]一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用在审
| 申请号： | 202210799338.2 | 申请日： | 2022-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN115295397A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 何军;程瑞清;尹蕾;文耀;姜健 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 李景 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请涉及无机半导体材料技术领域，特别涉及一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用。本申请提供的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，包括：以镓金属或氧化镓作为镓源，以尿素作为氮源，以表面带有范德华材料的硅片作为生长基底，利用气相沉积法制备得到硅基二维氮化镓材料。本申请通过范德华外延技术，通过调控生长参数在范德华衬底上制备得到了硅基二维氮化镓，其结晶质量高、稳定性好、制备成本低、合成速度快、尺寸和厚度可调，可作为光电探测器的光探测部件，用于紫外探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 氮化 及其 范德华 外延 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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