[发明专利]涂层柱状晶-楔形结构的高可控制备方法及装置

摘要

本发明提供一种涂层柱状晶‑楔形结构的高可控制备方法及装置。通过磁场控制装置调控磁场强弱分布，最终精确控制涂层微观结构分布。由环形磁铁、圆柱形磁铁共同作用，形成了中心弱磁区、中间强磁区、边缘弱磁区三个区域。弱磁区靶材溅射率低，只引出纯气相粒子，而强磁区增强靶材溅射率与固态块状颗粒的引出，从而形成了纯气相粒子区、气相+纳米级至亚微米级块状颗粒、气相+微米级块状颗粒、均匀气相+固态颗粒等多个区域，促进形成了纯柱状晶、纯楔形结构、柱状晶‑楔形混合结构。微观结构新颖，易于调控，精确度高，辅助调控电源功率、制样温度、气体氛围与气压等参数，就可以获得不同的微观结构，并可以精确控制涂层结构的尺寸、厚度。