[发明专利]一种介孔中半导体材料的形貌表征方法在审
| 申请号： | 202210804608.4 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115165495A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 陈夏岩;盛余松 | 申请（专利权）人： | 武汉万度光能研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N21/84 |
| 代理公司： | 北京润捷智诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11831 | 代理人： | 安利霞;孙巍 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种介孔中半导体材料的形貌表征方法，包括如下步骤：取待测材料，在所述待测材料表面贴覆胶层，撕下所述胶层，得到粘附有介孔材料的第一纹理胶层；在所述待测材料表面贴覆胶层，撕下所述胶层，得到粘附有介孔材料的第二纹理胶层；重复贴覆胶层、撕下胶层的步骤，直至得到的纹理胶层上无介孔材料的痕迹，得到第n纹理胶层；根据得到的纹理胶层，按照从第一纹理胶层至第n纹理胶层的顺序，得到n个剥离图片，对所述剥离图片进行处理，获得介孔中半导体材料的生长形貌。本发明所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，可以方便快速的获知介孔结构中生长的三维半导体材料的形貌特征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介孔中 半导体材料 形貌 表征 方法 | ||
【主权项】：
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