[发明专利]用于半导体样本制造的掩模检查在审

专利信息
申请号: 202210805808.1 申请日: 2022-07-08
公开(公告)号: CN115797249A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: A·什卡利姆;E·巴尔 申请(专利权)人: 应用材料以色列公司
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T7/13;G06T7/60;G06T7/66;G06V10/74;G06F30/20;G06F115/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 以色列瑞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种用于半导体样本制造的掩模检查的系统和方法,包括:获得表示所述掩模的至少部分的第一图像;在所述第一图像上应用印刷阈值以获得第二图像;估计一组感兴趣结构元件(SEI)中的每个SEI的轮廓,并且提取表征所述轮廓的属性集,从而产生对应于所述一组SEI的一组轮廓以及与所述一组轮廓相关联的相应属性集;对于每个给定轮廓,通过在与所述一组轮廓相关联的所述相应属性集之间进行比较来在所述一组轮廓的其余轮廓中识别与所述给定轮廓相似的一个或多个参考轮廓;以及测量所述给定轮廓与所述给定轮廓的每个参考轮廓之间的偏差,从而产生一个或多个测量偏差,所述一个或多个测量偏差指示是否存在缺陷。
搜索关键词: 用于 半导体 样本 制造 检查
【主权项】:
暂无信息
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