[发明专利]基于背栅控制的增强型器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210806525.9 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115036369A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 宁殿华;田伟;熊正兵;黄小蕾;李荷琴;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州英嘉通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相城区高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种基于背栅控制的增强型器件及其制备方法，所述增强型器件包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层及势垒层，沟道层中形成有二维电子气；位于异质结上的介质层；源极、漏极及栅极，所述源极和漏极位于势垒层及部分沟道层中，栅极位于源极和漏极之间的介质层上；背栅，形成于栅极下方区域的衬底上，所述背栅上施加有负偏压以耗尽栅极区域下方的二维电子气，从而将耗尽型器件转变为增强型器件。本发明在常规耗尽型器件的基础上增加背栅结构，通过在背栅上施加负偏压以耗尽栅极区域下方的二维电子气，从而达到载流子沟道常关的效果，将耗尽型器件转变为增强型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 控制 增强 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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