[发明专利]一种(002)晶面间距拓宽及多缺陷MoS2在审

专利信息
申请号: 202210812492.9 申请日: 2022-07-11
公开(公告)号: CN115463638A 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 李伟信;白明敏;王钦瑜;阳虎 申请(专利权)人: 景德镇学院
主分类号: B01J20/02 分类号: B01J20/02;B01J20/28;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/20
代理公司: 广州广信知识产权代理有限公司 44261 代理人: 李玉峰
地址: 333032 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种(002)晶面间距拓宽及多缺陷MoS2吸附剂的制备方法,以可溶性钼酸盐、有机硫源、缺陷生成剂为原料,经溶剂热反应进行制备。此外,还公开了利用上述(002)晶面间距拓宽及多缺陷MoS2吸附剂的制备方法制得的产品和应用。本发明通过将MoS2的(002)晶面间距拓宽至大于汞离子水合半径,使得汞离子进入层间而进一步增加反应位点;同时形成多缺陷MoS2,将更多S2‑原子暴露,从而有效解决了传统金属硫化物对汞离子吸附速度慢,吸附容量低等技术问题。
搜索关键词: 一种 002 间距 拓宽 缺陷 mos base sub
【主权项】:
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