[发明专利]一种倒装深紫外发光二极管芯片在审

专利信息
申请号: 202210814793.5 申请日: 2022-07-12
公开(公告)号: CN115172565A 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 伍熙阳;林岳;杨人龙;郑曦;黄伟志;郭伟杰;陈忠 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/14
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 陈淑娴
地址: 361000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种倒装深紫外发光二极管芯片,包括区块式排列于一衬底上的若干发光二极管和覆盖所述若干发光二极管的绝缘层;各发光二级管分别包括半导体发光堆叠层、第一电极和第二电极,若干发光二极管通过电极连接形成串联的结构,并在电极连接处下方设有电子阻挡层;绝缘层对应串联的若干发光二极管两末端的电极设有开口,两末端的电极通过所述开口引出并与设于所述绝缘层上的第一焊盘和第二焊盘一一对应连接。这种结构增大了出光面积并改善了电流分布,提升了UVC‑LED的光效,提高了其杀菌消毒的能力。
搜索关键词: 一种 倒装 深紫 发光二极管 芯片
【主权项】:
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