[发明专利]一种介质层可靠性测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 202210817928.3 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN114899177B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 俞佩佩;王丽雅;胡明辉 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 吴向青 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介质层可靠性测试结构及测试方法，属于半导体技术领域，所述介质层可靠性测试结构包括：衬底，其上设置多个有源区；至少一个待测试介质层，设置在所述有源区上；多晶硅层，设置在所述待测试介质层上；辅助金属结构，设置在所述多晶硅层上，且所述辅助金属结构将所述多晶硅层区分为多种不规则的区域；以及辅助多晶硅结构，设置在所述衬底上，且环绕所述多晶硅层设置。通过本发明提供的一种介质层可靠性测试结构及测试方法，可提高失效分析的准确率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 可靠性 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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