[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210820904.3 | 申请日： | 2022-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN115884660A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;王宏烵;黄胜煌;张弘郁;郭耿铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N35/00 | 分类号： | H10N35/00;H10N35/80;H10N35/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。公开了用于磁阻随机存取存储器(MRAM)的图案化磁隧道结(MTJ)的改进方法以及由其形成的半导体器件。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底上方沉积底部电极层；在底部电极层上方沉积MTJ膜堆叠件；在MTJ膜堆叠件上方沉积顶部电极层；图案化顶部电极层；实施第一蚀刻工艺，以图案化MTJ膜堆叠件；在MTJ膜堆叠件上实施第一修整工艺；在实施第一修整工艺之后，在MTJ堆叠件上方沉积第一间隔件层；以及在沉积第一间隔件层之后，实施第二蚀刻工艺，以图案化第一间隔件层、MTJ膜堆叠件、和底部电极层，以形成MRAM单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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