[发明专利]参考时钟互补金属氧化物半导体(CMOS)输入缓冲器在审
| 申请号： | 202210839541.8 | 申请日： | 2022-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN115767298A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | C·Q·吴;何雁莹;张唯一 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N25/76 | 分类号： | H04N25/76;H04N25/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及具有自校准及改进的静电放电ESD性能的参考时钟互补金属氧化物半导体CMOS输入缓冲器。在一个实施例中，图像传感器的参考时钟输入缓冲器包含施密特(Schmitt)触发器，其经配置以产生具有下降边缘及上升边缘的时钟信号。所述下降边缘及所述上升边缘由滞后电压分隔。所述施密特触发器包含多个输出开关及多个电压控制开关，其个别地耦合到所述多个输出开关中的个别输出开关[M2‑i]。通过选择性地切换所述多个电压控制开关中的至少一个电压控制开关，所述施密特触发器的所述下降边缘信号或所述上升边缘信号的电压可调整。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 时钟 互补 金属 氧化物 半导体 cmos 输入 缓冲器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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