[发明专利]一种氧化物高阻隔膜、制备的方法以及真空卷绕镀膜设备在审

专利信息
申请号: 202210840196.X 申请日: 2022-07-18
公开(公告)号: CN115198245A 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 徐从康;贺涛;陈捷豪 申请(专利权)人: 浙江弘康半导体技术股份有限公司
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C14/02;C23C14/08;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/54
代理公司: 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 代理人: 陈泽元
地址: 312030 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种氧化物高阻隔膜、制备的方法以及真空卷绕镀膜设备,包括将柔性基底置于机械轴或者气胀轴上,通过卷绕路径进行穿膜;开启真空泵将卷绕区域抽至1‑10Pa时,镀膜系统继续抽真空,开启预处理离子源,通过粒子轰击对基底表面进行清洗以及增强基底与镀膜的结合强度;之后继续抽真空至10‑2~10‑3Pa,开启镀膜;镀膜结束后回温,恢复真空至真空度达到1‑10Pa时,用后处理的离子源对膜层进行轰击,提高其致密度与阻隔性能。本发明的后处理与前处理所使用的离子源为同一参数,一次完整的镀膜流程即可实现高阻隔膜的制备,提高了产品的阻隔性能与致密度,降低成本,加快速率,提高产能。
搜索关键词: 一种 氧化物 阻隔 制备 方法 以及 真空 卷绕 镀膜 设备
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江弘康半导体技术股份有限公司,未经浙江弘康半导体技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210840196.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top