[发明专利]半导体器件及开关电源在审

专利信息
申请号: 202210844410.9 申请日: 2022-07-18
公开(公告)号: CN115295606A 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 张宗江;奉荣;吴庆锋 申请(专利权)人: 北京奕斯伟计算技术股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78;H02M3/00
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;张靖琳
地址: 100176 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了一种半导体器件及开关电源,半导体器件包括:第一埋层,位于衬底的第一区域中;体区、第一阱区、漂移区、以及第二阱区,位于第一埋层上,漂移区位于第一阱区与体区之间,且与体区接触,第二阱区为环形区,与第一埋层构成隔离区,将体区、第一阱区、漂移区包围;第三阱区,位于衬底的第二区域中;隔离结构,位于衬底的第二区域中,且位于第二阱区与第三阱区之间,隔离结构的部分表面暴露在衬底外部且悬空,以阻隔半导体器件中的漏电回路。本申请利用悬空的隔离结构,实现了阻隔半导体器件中漏电回路的目的,并提升了隔离效果。
搜索关键词: 半导体器件 开关电源
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京奕斯伟计算技术股份有限公司,未经北京奕斯伟计算技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210844410.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top