[发明专利]无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法有效

专利信息
申请号: 202210847399.1 申请日: 2022-07-19
公开(公告)号: CN115231616B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 陶涛;蒋砚南;蒋迪;严羽;赵红;谢自力 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 江苏斐多律师事务所 32332 代理人: 张佳妮
地址: 210046 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法,其步骤包括:(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上,所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案;(2)、常压、空气氛围中升温,达到指定温度后,通入惰性气体保温一段时间,得到上有与衬底图案相对应的周期性图案的二硫化钼膜。本发明方法操作简单,设备要求低,而且能减小多余杂质引入。
搜索关键词: 无掩膜 制备 二硫化钼 微孔 图案 方法
【主权项】:
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