[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202210858675.4 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115179186A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 杨一凡;高志强;张志军 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/24;B24B57/02;C09K3/14;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层；所述介质层和所述衬底中形成开口，金属层填充所述开口且覆盖所述介质层的上表面；研磨所述金属层高于所述介质层的部分，研磨垫接触所述金属层进行研磨，所述研磨垫的表面设置有硬质微粒子，所述硬质微粒子的粒径范围为国际筛网规格的目数6000～10000。本发明研磨工艺中研磨垫采用粒径尺寸更小的硬质微粒子对金属层进行研磨，实现超厚金属层(例如铜金属层)的研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210858675.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
