[发明专利]多互补式金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210859060.3 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN116266595A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 翁武得;熊志文;杨大勇 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多互补式金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法。多互补式金属氧化物半导体元件整合结构，包括：半导体层、多个绝缘区、第一高压P型阱区与第二高压P型阱区、第一高压N型阱区与第二高压N型阱区、第一低压P型阱区与第二低压P型阱区、第一低压N型阱区与第二低压N型阱区、第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极、第五栅极、第六栅极、第七栅极以及第八栅极。其中超高阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于超高阈值元件区，高阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于高阈值元件区，中阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于中阈值元件区，低阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于低阈值元件区。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 元件 整合 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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