[发明专利]一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板及制备方法在审
| 申请号： | 202210859440.7 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115084168A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；第一金属层；第一绝缘层；有源层；第二金属层；第二绝缘层；第三绝缘层；第三金属层；第四绝缘层；第一ITO层；第五绝缘层，设于所述第一ITO层上；所述第五绝缘层在TFT上方的无效区还开设有凹槽区，并在TFT与TFT之间开设有隔断区；第二ITO层，设于第三通孔处，并通过第三通孔和漏极区的所述第二金属层连接。本发明还提供一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法。在第五绝缘层和第四绝缘层中的无效区开设凹槽区与隔断区，降低了绝缘层大面积成膜的残余应力问题，可以有效提高器件的阈值电压均匀性和面板机械测试可靠性，从而提高阵列基本的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 氧化物 薄膜晶体管 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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