[发明专利]一种功率芯片终结区的制备方法及功率芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202210864614.9 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115472495A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杨绍明;张庆雷;王波 | 申请（专利权）人： | 上海林众电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率芯片终结区的制备及功率芯片的制备方法，终结区的制备方法包括以下步骤：提供一N型衬底；于所述N型衬底上形成一P+接地环；在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；在未形成所述场氧化层位置依次形成P型环，所述P型环之间保持间隔设置。其技术方案的有益效果在于，P+接地环决定边角的第一个电场强度,可藉由第一个P型环P+接地环来调整的电场强度,可减少器件的对于满足崩溃电压增加场版结构带来的成本上升问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 芯片 终结 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
