[发明专利]光刻工艺方法及极紫外线光刻工艺方法在审
| 申请号： | 202210871348.2 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115047731A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 游信胜;余青芳;王文娟;许庭豪;秦圣基;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 方法 紫外线 | ||
【主权项】：
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