[发明专利]一种铬硅合金溅射靶材的制备方法有效
申请号: | 202210877583.0 | 申请日: | 2022-07-25 |
公开(公告)号: | CN115110044B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 姚力军;潘杰;杨慧珍;廖培君;黄东长 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;B22F9/04;B22F3/16;C22C1/05;C22C27/06;C22C28/00 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 韩承志 |
地址: | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种铬硅合金溅射靶材的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)混合铬粉和硅粉,得到混粉料;(2)将步骤(1)得到的所述混粉料进行预烧处理,得到预烧坯;所述预烧处理包括依次进行的第一预烧、第二预烧和第一加压;(3)将步骤(2)得到的所述预烧坯进行烧结处理,得到所述铬硅合金溅射靶材。本发明提供的制备方法可以有效避免靶材出现开裂的问题,提高靶材的良品率,并且进一步提高靶材的致密度。 | ||
搜索关键词: | 一种 合金 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】:
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