[发明专利]一种铬硅合金溅射靶材的制备方法有效

专利信息
申请号: 202210877583.0 申请日: 2022-07-25
公开(公告)号: CN115110044B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 姚力军;潘杰;杨慧珍;廖培君;黄东长 申请(专利权)人: 宁波江丰电子材料股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;B22F9/04;B22F3/16;C22C1/05;C22C27/06;C22C28/00
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 韩承志
地址: 315400 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种铬硅合金溅射靶材的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)混合铬粉和硅粉,得到混粉料;(2)将步骤(1)得到的所述混粉料进行预烧处理,得到预烧坯;所述预烧处理包括依次进行的第一预烧、第二预烧和第一加压;(3)将步骤(2)得到的所述预烧坯进行烧结处理,得到所述铬硅合金溅射靶材。本发明提供的制备方法可以有效避免靶材出现开裂的问题,提高靶材的良品率,并且进一步提高靶材的致密度。
搜索关键词: 一种 合金 溅射 制备 方法
【主权项】:
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