[发明专利]一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法有效

专利信息
申请号: 202210886062.1 申请日: 2022-07-26
公开(公告)号: CN115389891B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 周学华;白国梁;王春花;何文祥;耿同谋;汪谢;武琳 申请(专利权)人: 安庆师范大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;H10K10/40;H10K71/70
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 缪璐欢
地址: 246133 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法,通过设计一种新型的热电子晶体管,通过器件结构的设计、每一层材料的选择、制备工艺的优化赋予热电子晶体管超高的载流子能量调节能力,通过实时监控分子电子器件中载流子的输运情况测得IC‑hot‑VEB曲线,从IC‑hot‑VEB曲线读出分子半导体材料的HOMO能级和LUMO能级,通过二者之间的差值进而计算得出分子半导体的本征电学输运带隙的数值。即使不同分子半导体材料之间的带隙极小,也可以由热电子晶体管准确地分辨开来,提高了测量分子半导体材料电学输运带隙的精确度。
搜索关键词: 一种 检测 分子 半导体材料 电学 输运 方法
【主权项】:
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