[发明专利]一种具有PEDOT:PSS/石墨烯/GaAs结构的太阳电池及其制备方法

摘要

本发明属于太阳电池领域，公开了一种具有PEDOT:PSS/石墨烯/GaAs结构的太阳电池及其制备方法。本发明的太阳电池自下而上的结构依次包括：Au背面电极、GaAs衬底、石墨烯层、空穴传输层、减反射层、介电层和Ag正面电极，所述空穴传输层由PEDOT:PSS制备得到，该空穴传输层，利用PEDOT:PSS材料的高导电率特性和不对称的载流子选择性传输特点，将石墨烯层的空穴引到外电路，提高空穴在石墨烯层的迁移率，提升肖特基结太阳电池间的填充因子，从而显著提高肖特基结太阳电池的光电转换效率，相比于外延生长的空穴传输结构，能使肖特基结太阳电池具有更优良的电导性，且材料易得，成本低廉。