[发明专利]双MOS的负载保护警报电路在审
| 申请号： | 202210895501.5 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115167232A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 杨路路;茅俊虎;杨建邦;戴忠伟 | 申请（专利权）人： | 广达创芯电子技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 胡美强 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，包括MCU单片机和负载控制电路，所述负载控制电路包括负载电源、负载、NMOS、PMOS；所述负载电源、所述负载、所述PMOS和所述NMOS依次串联，所述NMOS和所述PMOS由所述MCU单片机的不同控制端不同的电平控制。本发明可以准确检测出产品故障，通过三重保护警报，防止在负载非工作状态下，对用户造成安全方面的风险和隐患。 | ||
| 搜索关键词： | mos 负载 保护 警报 电路 | ||
【主权项】：
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