[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210896493.6 | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115942753A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 三原龙善 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B51/00 | 分类号： | H10B51/00;H01L21/8234;H10B20/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。包括铁电存储器的半导体器件的可靠性得到提高。铁电存储器的栅极电极形成在半导体衬底上以将铁电膜布置在其间，并且用作外延半导体层的半导体层形成在栅极电极的两侧的半导体衬底上。半导体层形成在半导体衬底的凹部上。铁电存储器的源极区和漏极区中的每个区的至少一部分形成在半导体层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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