[发明专利]氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法在审
| 申请号： | 202210897146.5 | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115346868A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 朱景春;李海涛;高玉波;李传峰 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 239004 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法。氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：提供包括衬底及氮化硅的基底模块，氮化硅设在衬底上；设掩膜；图形化设光刻胶；采用电感耦合等离子刻蚀利用C/F基气体和Ar气体刻蚀露出的掩膜，以形成浅槽，浅槽底面为氧化钒薄膜的顶面，浅槽侧面为斜面；采用电感耦合等离子刻蚀利用Cl基气体和Ar气体去除暴露的氧化钒薄膜、使浅槽的侧面被刻蚀而更倒地倾斜、直到刻蚀进入氮化硅，以形成刻蚀槽，刻蚀槽底壁由氮化硅构成，刻蚀槽侧壁由氧化钒和氮化硅构成，刻蚀槽的侧壁与经过再刻蚀的侧面连续共面，底壁与侧壁的夹角为65°以下；去除光刻胶，以形成器件模块。半导体器件的镀膜方法包括沿器件模块的刻蚀槽镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 刻蚀 方法 以及 半导体器件 镀膜 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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