[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210904597.7 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115360168A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | F.富山;Y.水谷;小川裕之;Y.降幡;J.于;J.卡伊;J.刘;J.阿尔斯梅尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包括导电层和绝缘层的第一部分的至少一个第一交替堆叠体，并且还包括垂直延伸穿过至少一个第一交替堆叠体的存储器堆叠体结构，其中存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和垂直半导体沟道，其中导电层包括用于存储器堆叠体结构的字线；绝缘深沟沟槽结构，垂直延伸穿过存储器层级组件并限定贯穿存储器层级通孔区域的与至少一个第一交替堆叠体横向间隔的区域；至少一个第二交替堆叠体，位于贯穿存储器层级通孔区域；以及贯穿存储器层级通孔结构。还公开了形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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