[发明专利]抛光装置修整方法、抛光装置及化学机械研磨设备在审
申请号: | 202210914012.X | 申请日: | 2022-07-29 |
公开(公告)号: | CN115172224A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 周庆亚;孟晓云;张文斌;贾若雨;李久芳;吴燕林;杨元元 | 申请(专利权)人: | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B24B53/017;B24B29/02;H01L21/306;B24B37/20;B24B37/34 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李博洋 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种抛光装置修整方法、抛光装置及化学机械研磨设备,该抛光装置包括抛光垫和修整装置,该修整装置中配置有与抛光垫对应设置的修整头,该修整方法包括:获取该抛光垫各位置的损耗量;基于该修整头的直径,将抛光垫表面划分为多个修整区域,并选取其中一个该修整区域作为基准修整区域;基于该损耗量计算各该修整区域内的第一平均损耗量;基于各该修整区域与该基准修整区域的第一平均损耗量的对应关系,调整该修整头处于各该修整区域内的转速。通过修整头转速的变化来消除抛光垫表面在研磨过程中产生的不均匀性,修整头的转速调整过程较快,具有延迟短的优点,对抛光垫表面的修整效果更佳。 | ||
搜索关键词: | 抛光 装置 修整 方法 化学 机械 研磨 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京烁科精微电子装备有限公司,未经北京烁科精微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210914012.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于人工智能的水样采集装置
- 下一篇:一体式地埋离子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造