[发明专利]一种稀土掺杂硅基薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202210917203.1 | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN115274893B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张帆 | 申请（专利权）人： | 江苏宝浦莱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L31/0336;H01L31/18;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/48;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京云嘉湃富知识产权代理有限公司 11678 | 代理人： | 王荃 |
| 地址： | 223800 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稀土掺杂硅基薄膜材料及其制备方法，属于光伏材料制备技术领域。所述稀土掺杂硅基薄膜材料的制备包括多晶材料的制备、磁控溅射处理、稀土元素的掺杂三个主要步骤。本发明提供的制备工艺简单，可控性强；制备得到的稀土掺杂硅基薄膜材料光电转化率高，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 掺杂 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
