[发明专利]基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210917511.4 | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN115172588A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 姜杰;冯凯明;张彪 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/11502;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及制备方法，其制备方法包括：提供缓冲层；在缓冲层表面形成氧化铪基铁电薄膜，得到稳定的氧化铪基铁电薄膜结构；其中，缓冲层的材质为二维材料，缓冲层与氧化铪基铁电薄膜之间通过范德华力作用连接。本发明的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法采用超薄的二维材料作为缓冲层，相比于传统硅基板与铁电薄膜化学键合，本发明是以范德华力作用连接，采用二维的缓冲层与氧化铪基铁电薄膜范德华力作用结合，以形成范德华异质界面，使得氧化铪基铁电薄膜与二维材料缓冲层之间裸露出来，增大薄膜的表面能，促进向铁电相的转变，并且以无应力状态保证氧化铪基铁电薄膜的自由生长和结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 范德华 力作 氧化 铪基铁电 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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