[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202210926119.6 | 申请日： | 2022-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN115440665A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 林育樟;吴濬宏;陈亮吟;张惠政;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法包括在半导体基板上方沉积多层堆叠，多层堆叠包括与多个通道层交替的多个牺牲层；在多层堆叠中形成第一凹陷处；在第一凹陷处中的这些牺牲层的侧壁上形成多个第一间隔物；在第一凹陷处中沉积第一半导体材料，其中第一半导体材料是未掺杂的，其中第一半导体材料与第一间隔物中的至少一者的侧壁和底表面物理性接触。在第一半导体材料内布植掺质，其中在布植掺质之后，第一半导体材料具有梯度掺杂的分布；以及在第一半导体材料上方在第一凹陷处中形成外延的源极/漏极区域，其中外延的源极/漏极区域的材料不同于第一半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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